APT50GN60BDQ2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

107 A

Pd - Dissipazione di potenza:

366 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

107 A

Altezza:

5.31 mm

Lunghezza:

21.46 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 175 C

Larghezza:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

107 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

600 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

1.340411 oz

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