IKW30N60TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.9 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

45 A

Pd - Dissipazione di potenza:

187 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

TRENCHSTOP

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

39 A

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

240

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

IKW30N60TAFKSA1 IKW3N6TAXK SP000539766

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IKW30N60T, IKW30N60, IKW30N6, IKW30N, IKW3, IKW