71V65603S100BQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IDT (tecnologia del dispositivo integrato)

Categoria di prodotto:

SRAM

RoHS:

N

Dimensione della memoria:

9 Mbit

Organizzazione:

256 k x 36

Orario di accesso:

10 ns

Frequenza massima di clock:

100 MHz

Tipo di interfaccia:

Parallelo

Tensione di alimentazione - Max:

3.465 V

Tensione di alimentazione - Min:

3.135 V

Corrente di alimentazione - Max:

250 mA

Temperatura di esercizio minima:

0 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 70 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CABGA-165

Confezione:

Vassoio

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

15 mm

Tipo di memoria:

SDR

Serie:

71V65603S100

Tipo:

Sincrono

Larghezza:

13 mm

Marca:

IDT

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

SRAM

Quantità confezione di fabbrica:

136

sottocategoria:

Memoria e archiviazione dati

Parte # Alias:

71V65603 IDT71V65603S100BQ

Tags

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