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SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA527DJ-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SIA527DJ-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SIA527DJ-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Imballaggio alternativo Digi-ReelR
Unità di peso
0.000988 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Nome depositato
TrenchFET
Pacchetto-Custodia
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Configurazione
1 N-Channel 1 P-Channel
Tipo FET
Canale N e P
Potenza-Max
7.8W
Tipo a transistor
1 N-Channel 1 P-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
12V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
500pF @ 6V
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
4.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
15nC @ 8V
Pd-Power-Dissipazione
7.8 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
10 ns
Ora di alzarsi
10 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
+ /- 8 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
4.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
12 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
1 V - 1 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
41 mOhms
Polarità del transistor
Canale N Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
22 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
10 ns
Qg-Gate-Carica
5.6 nC
Modalità canale
Aumento
Tags
SIA5, SIA
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
*** Americas
N- AND P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
***ark
N/P-Ch PPAK SC-70 12V 29/41mohms @ 4.5V
***ronik
N+P-MOS-FET 4,5A 12V PP-SC70-6
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
N & P Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs
Vishay N and P Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one single package. These N and P Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design. 
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216728		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant		4416
  • 3000:$0.1770
  • 1000:$0.2034
  • 500:$0.2497
  • 250:$0.2869
  • 100:$0.3187
  • 25:$0.4239
  • 10:$0.4710
  • 1:$0.6063
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # V36:1790_09216728		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant		0
  • 6000000:$0.1636
  • 3000000:$0.1638
  • 600000:$0.1750
  • 60000:$0.1925
  • 6000:$0.1953
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # SIA527DJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		36100In Stock
  • 1000:$0.2206
  • 500:$0.2855
  • 100:$0.3634
  • 10:$0.4870
  • 1:$0.5700
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # SIA527DJ-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		36100In Stock
  • 1000:$0.2206
  • 500:$0.2855
  • 100:$0.3634
  • 10:$0.4870
  • 1:$0.5700
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # SIA527DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		33000In Stock
  • 30000:$0.1613
  • 15000:$0.1701
  • 6000:$0.1827
  • 3000:$0.1953
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # 27089799		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant		4416
  • 38:$0.6063
SIA527DJ-T1-GE3
DISTI # SIA527DJ-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA527DJ-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 12000
    SIA527DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA527DJ-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA527DJ-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 30000:€0.1559
    • 18000:€0.1669
    • 12000:€0.1809
    • 6000:€0.2109
    • 3000:€0.3089
    SIA527DJ-T1-GE3
    DISTI # 67X6801    		Vishay IntertechnologiesN- AND P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET0
    • 50000:$0.1550
    • 30000:$0.1620
    • 20000:$0.1740
    • 10000:$0.1860
    • 5000:$0.2020
    • 1:$0.2070
    SIA527DJ-T1-GE3
    DISTI # 78-SIA527DJ-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
    RoHS: Compliant    		622
    • 1:$0.5600
    • 10:$0.4330
    • 100:$0.3210
    • 500:$0.2640
    • 1000:$0.2040
    • 3000:$0.1850
    • 6000:$0.1730
    • 9000:$0.1620
    Immagine Parte # Descrizione
    SIA527DJ-T1-GE3

    Mfr.#: SIA527DJ-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIA527DJ-T1-GE3

    		 MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
    SIA527DJ-T1-GE3

    Mfr.#: SIA527DJ-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIA527DJ-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    5000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di SIA527DJ-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,00 USD
    0,00 USD
    10
    0,00 USD
    0,00 USD
    100
    0,00 USD
    0,00 USD
    500
    0,00 USD
    0,00 USD
    1000
    0,00 USD
    0,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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