FDMS86200E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-56

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

35 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

18 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

33 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

104 W

Configurazione:

Singola Tripla Sorgente Quad Drain

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

33 S

Tempo di caduta:

5.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM