SI7114DN-T1-E3

Mfr. #:: SI7114DN-T1-E3
Produttore:: Vishay
Descrizione:: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: SI7114DN-T1-E3 Scheda dati
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Produttore: Vishay Siliconix

categoria di prodotto: FET - Single

Serie: TrinceaFETR

Confezione: Imballaggio alternativo Digi-ReelR

Alias parziali: SI7114DN-T1

Stile di montaggio: SMD/SMT

Pacchetto-Custodia: PowerPAKR 1212-8

Tecnologia: si

Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

Numero di canali: 1 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore: PowerPAKR 1212-8

Configurazione: Separare

Tipo FET: MOSFET N-Channel, ossido di metallo

Potenza-Max: 1.5W

Tipo a transistor: 1 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds: -

Funzione FET: Standard

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C: 11.7A (Ta)

Rds-On-Max-Id-Vgs: 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 3V @ 250μA

Gate-Carica-Qg-Vgs: 19nC @ 4.5V

Pd-Power-Dissipazione: 1.5 W

Massima temperatura di esercizio: + 150 C

Temperatura di esercizio minima: - 55 C

Tempo di caduta: 10 ns

Ora di alzarsi: 10 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente: 11.7 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza: 7.5 mOhms

Polarità del transistor: Canale N

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico: 45 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico: 10 ns

Modalità canale: Aumento

Tags: SI7114DN-T, SI7114D, SI7114, SI711, SI71, SI7

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SI7114DN-T1-E3 DISTI # 51K6982	Vishay Intertechnologies	N CHANNEL MOSFET, 30V, 11.7A, POWERPAK, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:18.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.0062ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes	0	1:$1.0200 3000:$1.0200
SI7114DN-T1-E3. DISTI # 28AC2160	Vishay Intertechnologies	N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET , ROHS COMPLIANT: YES	0	1:$1.0200 3000:$1.0200
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