BSL372SNH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

220 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

5.3 S

Tempo di caduta:

22.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

54 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns

Parte # Alias:

BSL372SN H6327 SP000942920

Unità di peso:

0.000480 oz

Tags

BSL3, BSL