IXFN120N65X2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

108 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

24 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

225 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

650V Ultra Junction X2

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

46 S

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

86 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

64 ns

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

IXFN12, IXFN1, IXFN, IXF