QS8K11TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms, 35 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7 nC, 7nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.2 S, 2.2 S

Tempo di caduta:

7 ns, 7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns, 25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns, 25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 10 ns

Parte # Alias:

QS8K11

Tags

QS8K11, QS8K1, QS8K, QS8