FDB9509L-F085

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 40 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 83 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 10 V

Qg - Carica cancello:

48 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

93.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel Power MOSFET

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

57 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

200 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Tags

FDB950, FDB95, FDB9, FDB