FQL40N50F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

460 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

QFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.4 mm

Lunghezza:

20.2 mm

Serie:

FQL40N50F

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

5.2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

29 S

Tempo di caduta:

250 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

440 ns

Quantità confezione di fabbrica:

375

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

350 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

140 ns

Parte # Alias:

FQL40N50F_NL

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

FQL40N5, FQL40, FQL4, FQL