ZVN2110GTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Serie:

ZVN2110

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

250 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

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