Jantx2N2222AUB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UB-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

300 mV

Corrente massima del collettore CC:

800 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75 at 1 mA, 10 VDC

Altezza:

1.8 mm

Lunghezza:

3.25 mm

Confezione:

Cialda

Larghezza:

2.74 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

325 at 1 mA, 10 VDC

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

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