NTNS3A67PZT5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Numero di canali:

1 Channel

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Qg - Carica cancello:

120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

NTNS3A67PZ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

-

Kit di sviluppo:

-

Tempo di caduta:

-

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

-

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

-

Tempo di ritardo di accensione tipico:

-

Tags

NTNS3A6, NTNS3A, NTNS3, NTNS, NTN