2N5232A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

70 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

125 mV

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5232

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250 at 2 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5232A PBFREE

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2N523, 2N52, 2N5