MS1008

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

55 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Corrente continua del collettore:

10 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

M164

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

30 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

233 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

Tags

MS100, MS10, MS1