IKW60N60H3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.85 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

80 A

Pd - Dissipazione di potenza:

416 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

HighSpeed 3

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.7 mm

Lunghezza:

15.87 mm

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

240

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

IKW60N60H3FKSA1 IKW6N6H3XK SP000919762

Unità di peso:

0.214018 oz

Tags

IKW60N6, IKW60N, IKW6, IKW