SI6562CDQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore

VISHAY

categoria di prodotto

FET - Array

Serie

TrinceaFETR

Confezione

Imballaggio alternativo Digi-ReelR

Alias ​​parziali

SI6562CDQ-GE3

Unità di peso

0.005573 oz

Stile di montaggio

SMD/SMT

Pacchetto-Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Tecnologia

si

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero di canali

2 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore

8-TSSOP

Configurazione

Doppia doppia sorgente

Tipo FET

Canale N e P

Potenza-Max

1.6W, 1.7W

Tipo a transistor

1 N-Channel 1 P-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss

20V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds

850pF @ 10V

Funzione FET

Porta livello logico

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C

6.7A, 6.1A

Rds-On-Max-Id-Vgs

22 mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs-th-Max-Id

1.5V @ 250μA

Gate-Carica-Qg-Vgs

23nC @ 10V

Pd-Power-Dissipazione

1.1 W 1.2 W

Massima temperatura di esercizio

+ 150 C

Temperatura di esercizio minima

- 55 C

Tempo di caduta

10 ns 25 ns

Ora di alzarsi

10 ns 25 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage

12 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente

5.7 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

20 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza

18 mOhms 24 mOhms

Polarità del transistor

Canale N Canale P

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico

25 nS 45 nS

Tempo di ritardo all'accensione tipico

12 nS 30 nS

Modalità canale

Aumento

Tags

SI6562CDQ, SI6562C, SI656, SI65, SI6