FF1000R17IE4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1700 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.45 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

1390 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

6.25 kW

Pacchetto/custodia:

PRIME3

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

38 mm

Lunghezza:

250 mm

Larghezza:

89 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF1000R17IE4BOSA1 SP000609592

Unità di peso:

2.646 lbs

Tags

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