BF820W,135

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.05 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

60 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

50 at 25 mA, 20 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 25 mA, 20 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

/T3 BF820W

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BF820W, BF820, BF82, BF8