FDY2000PZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

350 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

630 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.78 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDY2000PZ

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

0.88 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

1.4 S

Tempo di caduta:

13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.000071 oz

Tags

FDY2, FDY