TSM2537CQ RFG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDFN22-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

11.6 A, 9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms, 48 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV, 450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

9.1 nC, 9.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6.25 W, 6.25 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

MOSFET di potenza a canale N e P

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

28 S, 15 S

Tempo di caduta:

30 ns, 68 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

41 ns, 34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns, 69 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 10 ns

Tags

TSM25, TSM2, TSM