STGW38IH130D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1300 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.1 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

25 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

55 A

Pd - Dissipazione di potenza:

180 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STGW38IH130D

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.15 mm

Lunghezza:

15.75 mm

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

55 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

STGW38IH1, STGW38, STGW3, STGW, STG