PXAC201202FC-V2-R250

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

240 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms

Guadagno:

16.5 dB

Potenza di uscita:

120 W

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

H-37248-4

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1800 MHz to 2200 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Wolfspeed / Cree

Numero di canali:

2 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

2.69 V

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