IRF135SA204

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

135 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

210 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

StrongIRFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo:

MOSFET a canale N

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

270 S

Tempo di caduta:

56 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

56 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

140 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Parte # Alias:

SP001564264

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IRF135S, IRF135, IRF13, IRF1, IRF