APTM10HM19FT3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

SP-32

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Configurazione:

Separare

Altezza:

11.5 mm

Lunghezza:

73.4 mm

Larghezza:

40.8 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

125 ns

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Pd - Dissipazione di potenza:

208 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

19 mOhms

Ora di alzarsi:

70 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

POTENZA MOS V

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

95 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT