AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR
Mfr. #:
AS4C64M8SA-7TCNTR
Produttore:
Alliance Memory
Descrizione:
DRAM 512M, 3.3V, 64M x 8 SDRAM
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
AS4C64M8SA-7TCNTR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
SDRAM
Larghezza bus dati:
8 bit
Organizzazione:
64 M x 8
Pacchetto/custodia:
TSOP-54
Dimensione della memoria:
512 Mbit
Frequenza massima di clock:
133 MHz
Orario di accesso:
5.4 ns
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Tensione di alimentazione - Min:
3 V
Corrente di alimentazione - Max:
130 mA
Temperatura di esercizio minima:
0 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 70 C
Serie:
AS4C64M8SA
Confezione:
Bobina
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Sensibile all'umidità:
Tensione di alimentazione operativa:
3.3 V
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
AS4C64M8S, AS4C64M8, AS4C6, AS4C, AS4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
AS4C64M8SA-7TCNTR
DISTI # AS4C64M8SA-7TCNTR-ND
Alliance Memory IncIC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    Immagine Parte # Descrizione
    AS4C64M8D2-25BCNTR

    Mfr.#: AS4C64M8D2-25BCNTR

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D2-25BCNTR

    DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
    AS4C64M8D1-5BCNTR

    Mfr.#: AS4C64M8D1-5BCNTR

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D1-5BCNTR

    DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
    AS4C64M8D1-5BCN

    Mfr.#: AS4C64M8D1-5BCN

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D1-5BCN

    DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
    AS4C64M8D1-5TCN

    Mfr.#: AS4C64M8D1-5TCN

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D1-5TCN

    DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
    AS4C64M8D2-25BCN

    Mfr.#: AS4C64M8D2-25BCN

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D2-25BCN

    DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
    AS4C64M8SA-7TCNTR

    Mfr.#: AS4C64M8SA-7TCNTR

    OMO.#: OMO-AS4C64M8SA-7TCNTR

    DRAM 512M, 3.3V, 64M x 8 SDRAM
    AS4C64M8D2-25BANTR

    Mfr.#: AS4C64M8D2-25BANTR

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D2-25BANTR-ALLIANCE-MEMORY

    DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
    AS4C64M8D2-25BCNTR

    Mfr.#: AS4C64M8D2-25BCNTR

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D2-25BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
    AS4C64M8S-7TCN

    Mfr.#: AS4C64M8S-7TCN

    OMO.#: OMO-AS4C64M8S-7TCN-ALLIANCE-MEMORY

    DRAM 512Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 8 SDRAM
    AS4C64M8D2-25BIN

    Mfr.#: AS4C64M8D2-25BIN

    OMO.#: OMO-AS4C64M8D2-25BIN-ALLIANCE-MEMORY

    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    3500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di AS4C64M8SA-7TCNTR è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Iniziare con
    Prodotti più recenti
    • MEMS Motion Sensors
      ON Semiconductor takes a system-based approach to its MEMS motion solutions, making it easy for designers to achieve both high performance and fast time to market.
    • Economic Housing (EH) System
      Phoenix Contact's two-piece EH system is easy to use and perfect for building automation and semi-industrial applications.
    • NCP510x High Voltage MOSFET and IGBT Gate Drivers
      ON Semiconductor's NCP510x high voltage MOSFET and IGBT gate drivers provide two outputs for direct drive of two N-channel power MOSFETs or IGBTs.
    • ATTINY1607/807 AVR® MCUs
      Microchip's ATtiny807/1607 microcontrollers use the high-performance, low-power AVR® RISC architecture.
    • Compare AS4C64M8SA-7TCNTR
      AS4C64M8S7TCN vs AS4C64M8S7TCNTR vs AS4C64M8SA7TCNTR
    • Grid-EYE Infrared Array Sensors
      Panasonics' Grid-EYE infrared array sensor is a thermopile-typed infrared sensor which detects quantity of infrared ray.
    Top