APL502B2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

T-MAX-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

58 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

730 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.31 mm

Lunghezza:

21.46 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

56 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Tags

APL502, APL50, APL5, APL