MMRF2007GNR1

MMRF2007GNR1
Mfr. #:
MMRF2007GNR1
Produttore:
NXP / Freescale
Descrizione:
RF MOSFET Transistors RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
MMRF2007GNR1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
NXP
Categoria di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Polarità del transistor:
Doppio canale N
Tecnologia:
si
Id - Corrente di scarico continua:
40 uA, 320 uA
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
- 500 mV, 70 V
Guadagno:
32.6 dB
Potenza di uscita:
35 W
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-270-WBLG-16
Confezione:
Bobina
Frequenza operativa:
136 MHz to 940 MHz
Serie:
MMRF2007
Tipo:
MOSFET di potenza RF
Marca:
NXP / Freescale
Numero di canali:
2 Channel
Tipologia di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Quantità confezione di fabbrica:
500
sottocategoria:
MOSFET
Vgs - Tensione Gate-Source:
- 0.5 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
2 V, 2 V
Parte # Alias:
935312376528
Unità di peso:
0.085451 oz
Tags
MMRF200, MMRF2, MMRF, MMR
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***escale Semiconductor
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V
***W
Amplifier,136 to 940 MHz, 79 W, Typ Gain in dB is 32.6 @ 940 MHz, 28 V, LDMOS,
***i-Key
RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW
***et
Power Amp 940MHz Dual 16-Pin TO-270WBLG T/R
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
MMRF2007GNR1
DISTI # V36:1790_17079110
NXP SemiconductorsRF & MW POWER AMPLIFIER0
  • 500000:$61.9000
  • 250000:$61.9100
  • 50000:$63.5100
  • 5000:$67.2400
  • 500:$67.9200
MMRF2007GNR1
DISTI # MMRF2007GNR1-ND
NXP SemiconductorsRF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 500:$67.9247
MMRF2007GNR1
DISTI # MMRF2007GNR1
Avnet, Inc.Power Amp 940MHz Dual 16-Pin TO-270WBLG T/R - Tape and Reel (Alt: MMRF2007GNR1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Reel
Americas - 0
  • 5000:$64.8900
  • 3000:$66.1900
  • 2000:$68.6900
  • 1000:$71.4900
  • 500:$74.3900
MMRF2007GNR1
DISTI # 841-MMRF2007GNR1
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MMRF2007GN/FM16///REEL 13 Q2 DP0
    MMRF2007GNR1
    DISTI # MMRF2007GNR1
    NXP SemiconductorsRF & MW POWER AMPLIFIER
    RoHS: Compliant
    0
    • 500:$76.6000
    Immagine Parte # Descrizione
    MMRF2004NBR1

    Mfr.#: MMRF2004NBR1

    OMO.#: OMO-MMRF2004NBR1

    RF Amplifier 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
    MMRF2010NR1

    Mfr.#: MMRF2010NR1

    OMO.#: OMO-MMRF2010NR1

    RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
    MMRF2010GNR1

    Mfr.#: MMRF2010GNR1

    OMO.#: OMO-MMRF2010GNR1

    RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
    MMRF2005NR1

    Mfr.#: MMRF2005NR1

    OMO.#: OMO-MMRF2005NR1

    RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V
    MMRF2007GNR1

    Mfr.#: MMRF2007GNR1

    OMO.#: OMO-MMRF2007GNR1

    RF MOSFET Transistors RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V
    MMRF2011NT1

    Mfr.#: MMRF2011NT1

    OMO.#: OMO-MMRF2011NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

    SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND
    MMRF2007GNR1

    Mfr.#: MMRF2007GNR1

    OMO.#: OMO-MMRF2007GNR1-NXP-SEMICONDUCTORS

    RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW
    MMRF2006NT1

    Mfr.#: MMRF2006NT1

    OMO.#: OMO-MMRF2006NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

    RF Amplifier 1805-2170 MHz 2.4W Avg. 28 V
    MMRF2004NBR1

    Mfr.#: MMRF2004NBR1

    OMO.#: OMO-MMRF2004NBR1-NXP-SEMICONDUCTORS

    RF Amplifier 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
    MMRF2007NR1

    Mfr.#: MMRF2007NR1

    OMO.#: OMO-MMRF2007NR1-NXP-SEMICONDUCTORS

    RF MOSFET Transistors RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    4500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di MMRF2007GNR1 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Iniziare con
    Prodotti più recenti
    Top