DMG2301U-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

6.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMG2301

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

22.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46.5 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.5 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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