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RN1113MFV(TPL3)

RN1113MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1113MFV(TPL3)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN1113MFV(TPL3) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
N
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
NPN
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
VESM-3
Guadagno base/collettore DC hfe min:
700
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
150 mW
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
RN1113MFV
Confezione:
Bobina
Collettore-tensione di base VCBO:
50 V
Guadagno di corrente CC hFE Max:
120 @ 1mA @ 5V
Emettitore-tensione di base VEBO:
5 V
Altezza:
0.5 mm
Lunghezza:
1.2 mm
Larghezza:
0.8 mm
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
8000
sottocategoria:
transistor
Tags
RN1113MFV, RN1113M, RN1113, RN111, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
100MA 50VOLTS 3PIN 47KOHMS
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V VCBO 50V VCEO 100MA IC
***ca Corp
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: 0.1(Ratio); RF Transistor Case: SOT-723; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTC043Z Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resis
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
2.2KOHMS X 10KOHMS
***ure Electronics
DTC143Z Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - VMT-3
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
***ark
Digital Transistor Polarity:single Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100Ma; Base Input Resistor R1:4.7Kohm; Base-Emitter Resistor R2:47Kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.1(Ratio) Rohs Compliant: Yes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***el Electronic
LDO Regulator Pos 1.8V 0.25A 6-Pin TDFN EP T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RN1113MFV(TPL3)
DISTI # RN1113MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsX34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF) - Tape and Reel (Alt: RN1113MFV(TPL3))
RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Reel		Americas - 0
    RN1113MFV(TPL3)
    DISTI # 757-RN1113MFV(TPL3)    		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
    RoHS: Not compliant    		0
      RN1113MFV(TPL3)Toshiba America Electronic Components 8000
        Immagine Parte # Descrizione
        RN1113MFV,L3F

        Mfr.#: RN1113MFV,L3F

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-L3F

        		 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm
        RN1113MFV,L37F

        Mfr.#: RN1113MFV,L37F

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-L37F

        		 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
        RN1113MFV(TPL3)

        Mfr.#: RN1113MFV(TPL3)

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-TPL3-

        		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
        RN1113MFV(TPL3)

        Mfr.#: RN1113MFV(TPL3)

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-TPL3--123

        		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
        RN1113MFVTPL3

        Mfr.#: RN1113MFVTPL3

        OMO.#: OMO-RN1113MFVTPL3-1190

        		 Nuovo e originale
        RN1113MFVL3F-ND

        Mfr.#: RN1113MFVL3F-ND

        OMO.#: OMO-RN1113MFVL3F-ND-1190

        		 Nuovo e originale
        RN1113MF

        Mfr.#: RN1113MF

        OMO.#: OMO-RN1113MF-1190

        		 Nuovo e originale
        RN1113MFV

        Mfr.#: RN1113MFV

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-1190

        		 Nuovo e originale
        RN1113MFV(TL3,T)

        Mfr.#: RN1113MFV(TL3,T)

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-TL3-T--1190

        		 Nuovo e originale
        RN1113MFV,L3F

        Mfr.#: RN1113MFV,L3F

        OMO.#: OMO-RN1113MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

        		 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
        Disponibilità
        Azione:
        Available
        Su ordine:
        2500
        Inserisci la quantità:
        Il prezzo attuale di RN1113MFV(TPL3) è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
        Prezzo di riferimento (USD)
        Quantità
        Prezzo unitario
        est. Prezzo
        1
        0,30 USD
        0,30 USD
        10
        0,20 USD
        1,95 USD
        100
        0,08 USD
        8,20 USD
        1000
        0,06 USD
        56,00 USD
        2500
        0,04 USD
        105,00 USD
        A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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