APT25GN120SG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

D3PAK-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.7 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

67 A

Pd - Dissipazione di potenza:

272 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

67 A

Altezza:

5.08 mm

Lunghezza:

16.05 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

13.99 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

67 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

600 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Tags

APT25GN, APT25G, APT25, APT2, APT