2SC5659T2LN

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.05 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SC5659

Guadagno di corrente CC hFE Max:

56 at 1 mA, 6 V

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

56

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Tags

2SC5659, 2SC565, 2SC56, 2SC5, 2SC