TPS1101DR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

15 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

2 V, - 15 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Pd - Dissipazione di potenza:

791 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

TPS1101

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

Interruttori PMOS

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

5.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 ns

Unità di peso:

0.002677 oz

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