IXKC19N60C5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

19 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

125 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

132 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

COOLMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

16 mm

Lunghezza:

11 mm

Serie:

IXKC19N60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Unità di peso:

0.012346 oz

Tags

IXKC1, IXKC, IXK