TGF2120

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

pHEMT

Tecnologia:

GaAs

Guadagno:

11 dB

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 12 V

Id - Corrente di scarico continua:

194 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

4.2 W

Pacchetto/custodia:

Morire

Confezione:

Confezione di gel

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

20 GHz

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaAs pHEMT

Marca:

Qorvo

Transconduttanza diretta - Min:

464 mS

P1dB - Punto di compressione:

31 dBm

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

1098613

Tags

TGF2, TGF