FDPF18N20FT-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

140 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

35 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UniFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.07 mm

Lunghezza:

10.36 mm

Serie:

FDPF18N20FT_G

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

13.6 S

Tempo di caduta:

40 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

50 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Parte # Alias:

FDPF18N20FT_G

Unità di peso:

0.080072 oz

Tags

FDPF18N20F, FDPF18N2, FDPF18, FDPF1, FDPF, FDP