2N7002LT7G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

115 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel Small Signal MOSFET

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Kit di sviluppo:

NCP1095GEVB, NCP1096GEVB

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Tags

2N7002LT, 2N7002L, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7