SD1013-03

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

10

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

35 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Corrente continua del collettore:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

M113

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

150 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

13 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

Tags

SD1013, SD101, SD10, SD1