IXTH6N150

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Qg - Carica cancello:

67 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

540 W

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

IXTH6N150

Tipo:

MOSFET di potenza ad alta tensione

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

6.5 mS

Tempo di caduta:

38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT