DMP25H18DLFDE-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-E-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

260 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

40 V

Qg - Carica cancello:

2.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP25

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

95 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

124 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Tags

DMP25, DMP2, DMP