AFT31150NR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

1.8 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 65 V

Guadagno:

17 dB

Potenza di uscita:

150 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

OM-780-2L

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

2700 MHz to 3100 MHz

Serie:

AFT31150N

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Numero di canali:

1 Channel

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

741 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Parte # Alias:

935346512578

Unità di peso:

0.108683 oz

Tags

AFT3, AFT