IPB060N15N5ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

136 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

68 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Serie:

OptiMOS 5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

53 S

Tempo di caduta:

4.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14.9 ns

Parte # Alias:

IPB060N15N5 SP001607814

Unità di peso:

0.051500 oz

Tags

IPB06, IPB0, IPB