FCH099N60E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

37 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

87 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

114 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

357 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.82 mm

Lunghezza:

15.87 mm

Serie:

FCH099N60E

Larghezza:

4.82 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

31.4 S

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

92 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 ns

Unità di peso:

0.225401 oz

Tags

FCH09, FCH0, FCH