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BUP213

BUP213
Mfr. #:
BUP213
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
IGBT Transistors IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
BUP213 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
BUP213 DatasheetBUP213 Datasheet (P4-P6)BUP213 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Pacchetto/custodia:
TO-220-3
Stile di montaggio:
Foro passante
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Confezione:
Tubo
Corrente continua del collettore Ic Max:
32 A
Altezza:
9.25 mm
Lunghezza:
10 mm
Larghezza:
4.4 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Tipologia di prodotto:
Transistor IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
500
sottocategoria:
IGBT
Unità di peso:
0.211644 oz
Tags
BUP21, BUP2, BUP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
***ark
; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:32A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
***nell
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:1200V; Current Ic Continuous a Max:32A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V; Current, Icm Pulsed:64A; Device Marking:BUP213; No. of Pins:3; Pin Format:GCE; Power, Pd:200W; Power, Ptot:200W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall:95ns; Time, Rise:70ns; Transistors, No. of:1
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
BUP213
DISTI # BUP213IN-ND		Infineon Technologies AGIGBT 1200V 32A 200W TO220
RoHS: Not compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    BUP213
    DISTI # 726-BUP213    		Infineon Technologies AGIGBT Transistors IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A
    RoHS: Compliant    		0
      BUP213 E3045A
      DISTI # 726-BUP213E3045A      		Infineon Technologies AGIGBT Transistors IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A
      RoHS: Compliant      		0
        BUP213Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
        RoHS: Not Compliant        		1634
          Immagine Parte # Descrizione
          BUP202

          Mfr.#: BUP202

          OMO.#: OMO-BUP202-1190

          		 Nuovo e originale
          BUP203

          Mfr.#: BUP203

          OMO.#: OMO-BUP203-1190

          		 Nuovo e originale
          BUP23B

          Mfr.#: BUP23B

          OMO.#: OMO-BUP23B-1190

          		 TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,15A I(C),SOT-93
          BUP311D

          Mfr.#: BUP311D

          OMO.#: OMO-BUP311D-1190

          		 IGBT Transistors 1200V, 20A
          BUP314

          Mfr.#: BUP314

          OMO.#: OMO-BUP314-1190

          		 IGBT Transistors TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A
          BUP40

          Mfr.#: BUP40

          OMO.#: OMO-BUP40-1190

          		 Nuovo e originale
          BUP410D

          Mfr.#: BUP410D

          OMO.#: OMO-BUP410D-1190

          		 Part Number Only
          BUP50

          Mfr.#: BUP50

          OMO.#: OMO-BUP50-1190

          		 Nuovo e originale
          BUP61

          Mfr.#: BUP61

          OMO.#: OMO-BUP61-1190

          		 Nuovo e originale
          BUP941

          Mfr.#: BUP941

          OMO.#: OMO-BUP941-1190

          		 Nuovo e originale
          Disponibilità
          Azione:
          Available
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          5000
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