UMG11NTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Dual

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

2.2 kOhms

Rapporto resistore tipico:

21

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TUMT-5

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

UMG11N

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80

Altezza:

0.77 mm

Lunghezza:

2 mm

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

UMG11N

Tags

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