IPD25DP06NMATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 60 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

250 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

- 10.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

IPD06P005

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

5.9 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

IPD25DP06NM SP004987262

Tags

IPD25D, IPD25, IPD2, IPD