R6050JNZ4C13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247G-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

83 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

615 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

45 ns

Tags

R6050, R605, R60