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IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1
Mfr. #:
IPB50R299CPATMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPB50R299CPATMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-263-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Configurazione:
Separare
Nome depositato:
CoolMOS
Confezione:
Bobina
Altezza:
4.4 mm
Lunghezza:
10 mm
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
9.25 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Tipologia di prodotto:
MOSFET
sottocategoria:
MOSFET
Parte # Alias:
IPB50R299CPATMA1 SP000236094
Unità di peso:
0.139332 oz
Tags
IPB50R29, IPB50R2, IPB50R, IPB50, IPB5, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
TransMOSFETNCH550V12A3Pin2TabD2PAKTR
***ineon
CoolMOSCPInfineonsfifthseriesofCoolMOSisdesignedforhardandsoftswitchingtopologiesCCMPFCaswellasPWMforATXnotebookadapterPDPandLCDTVSummaryofFeaturesLowestfigureofmeritRonxQg;Ultralowgatecharge;Extremedvdtrate;UltralowRDSonultralowgatechargeveryfastswitching;Vth3VgfsveryhighinternalRgverylow;Highcurrentcapability;Significantreductionofconductionandswitchinglosses;Highpowerdensityandefficiencyforsuperiorpowerconversionsystems;BestinclasspriceperformanceratioTargetApplicationsSolar;Server;Telecom;Consumer;Adapter;PCpower
***ment14APAC
MOSFETNTO263;TransistorPolarityNChannel;ContinuousDrainCurrentId12A;DrainSourceVoltageVds550V;OnResistanceRdson299mohm;RdsonTestVoltageVgs10V;ThresholdVoltageVgsTyp3V;PowerDissipationPd104W;OperatingTemperatureRange55Cto150C;TransistorCaseStyleTO263;NoofPins3;SVHCNoSVHC20Jun2011;CurrentIdMax12A;PackageCaseTO263;PowerDissipationPd104W;TerminationTypeSMD;TransistorTypePowerMOSFET;VoltageVdsTyp550V;VoltageVgsMax20V;VoltageVgsRdsonMeasurement10V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPB50R299CPATMA1
DISTI # IPB50R299CPATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 550V 12A TO-263
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPB50R299CPATMA1
    DISTI # IPB50R299CPATMA1    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB50R299CPATMA1)
    Min Qty: 348
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 348:$1.1229
    • 350:$1.0829
    • 698:$1.0439
    • 1740:$1.0089
    • 3480:$0.9909
    IPB50R299CP
    DISTI # 726-IPB50R299CP    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP
    RoHS: Compliant    		2
    • 1:$2.2400
    • 10:$1.9000
    • 100:$1.5200
    • 500:$1.3300
    • 1000:$1.1100
    IPB50R299CPATMA1
    DISTI # N/A    		Infineon Technologies AGMOSFET LOW POWER_LEGACY0
      IPB50R299CPATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
      RoHS: Compliant      		59550
      • 1000:$1.0300
      • 500:$1.0800
      • 100:$1.1300
      • 25:$1.1700
      • 1:$1.2600
      IPB50R299CPATMA1
      DISTI # 8275158P      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 12A 550V COOLMOS TO263, RL810
      • 100:£0.7950
      Immagine Parte # Descrizione
      IPB50R299CPATMA1

      Mfr.#: IPB50R299CPATMA1

      OMO.#: OMO-IPB50R299CPATMA1

      		 MOSFET LOW POWER_LEGACY
      IPB50R299CPATMA1

      Mfr.#: IPB50R299CPATMA1

      OMO.#: OMO-IPB50R299CPATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
      IPB50R299CP PB-FREE

      Mfr.#: IPB50R299CP PB-FREE

      OMO.#: OMO-IPB50R299CP-PB-FREE-1190

      		 Nuovo e originale
      IPB50R299CP

      Mfr.#: IPB50R299CP

      OMO.#: OMO-IPB50R299CP-124

      		 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP
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      Azione:
      Available
      Su ordine:
      3500
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