IXZR18N50A-00

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

19 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

370 mOhms

Potenza di uscita:

350 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Confezione:

Tubo

Serie:

IXZR18

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

6.7 S

Numero di canali:

1 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Qg - Carica cancello:

42 nC

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.6 V

Tags

IXZR18, IXZR1, IXZR, IXZ